產品信息

• 可在紫外-可見 (300-800 nm) 波長范圍內測量 Ellipso 參數(shù)
• 納米級多層薄膜厚度分析成為可能
• 可以通過400ch以上的多通道光譜快速測量橢圓光譜
• 支持通過可變反射角測量對薄膜進行詳細分析
• 通過創(chuàng)建光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫并添加配方注冊功能，提高了可操作性。

• 橢圓參數(shù) (tanψ, cosΔ) 測量
• 光學常數(shù)（n：折射率，k：消光系數(shù)）分析
• 膜厚分析

• 半導體晶片
  柵氧化薄膜、氮化膜
  SiO ₂、Si x O y、SiN、SiON、SiN x、Al ₂ O ₃、SiN _x O _y、poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN
  的光學常數(shù)（波長色散）抵抗
• 化合物半導體
  Al _x Ga _(1-x)作為多層膜、非晶硅
• FPD
  取向膜
• 各種新材料
  DLC（類金剛石碳）、超導用薄膜、磁頭用薄膜
• 光學薄膜
  TiO ₂ , SiO ₂ , 減反射膜
• 
  

• g-line (436nm), h-line (405nm), i-line (365nm)等各波長的光刻場n、k評估
  規(guī)格

  模型	FE-5000S	FE-5000
  樣本量	*大 100x100mm	*大 200x200mm
  測量方法	旋轉光子法*1
  測量膜厚范圍（nd）	0.1nm ~ 1μm
  入射（反射）角范圍	45-90°	45-90°
  入射（反射）角驅動方式	自動正弦桿驅動系統(tǒng)
  光斑直徑*2	φ2.0	φ1.2 sup * 3
  tan ψ 測量精度	± 0.01 或更小
  cosΔ測量精度	± 0.01 或更小
  可重復的薄膜厚度	0.01%以下*4
  波長范圍*5	300-800nm	300-800nm
  測量用光源	高穩(wěn)定性氙燈*6
  舞臺驅動系統(tǒng)	手動的	手動自動
  裝載機兼容	不可能的	可能的
  尺寸、重量	650 (W) x 400 (D) x 593 (H) 毫米 50kg	1300（寬）×890（深）×1750（高）mm 350kg * 7

  * 1 可驅動分離器，可裝卸對死區(qū)有效的相位差板。
  * 2 因短軸和角度而異。
  * 3 與微小斑點兼容（選項）
  * 4 使用 VLSI 標準 SiO2 薄膜（100 nm）時的值。
  * 5 這是選擇自動階段時的值。

  測量示例

  使用傾斜模型對 ITO 進行結構分析

  ITO（氧化銦錫）是用于液晶顯示器的透明電極材料，由于成膜后的退火處理（熱處理），其導電性和顏色得到改善。此時，氧態(tài)和結晶度也發(fā)生變化，但這種變化可能相對于薄膜的厚度呈階梯式變化，不能視為具有光學均勻組成的單層薄膜。
  對于這種 ITO，我們將介紹一個使用傾斜模型從上界面和下界面的 nk 測量傾斜度的示例。

  

  

   

  考慮表面粗糙度的膜厚值測量

  如果樣品表面有粗糙度，將表面粗糙度建模為“粗糙層”，其中大氣（空氣）和膜厚材料以 1:1 的比例混合，并分析粗糙度和膜厚。 . 在這里，我們描述了一個測量表面粗糙度為幾納米的 SiN（氮化硅）的例子。

  

  

   

  使用非干涉層模型測量密封的 OLED 材料

  有機EL材料易受氧氣和水分的影響，在正常大氣下可能會發(fā)生改變或損壞。因此，成膜后立即用玻璃密封。以下是在密封時通過玻璃測量薄膜厚度的示例。中間的玻璃和空氣層采用非干涉層模型。

  

  

   

  使用多點分析法測量 nk 未知超薄膜

  材料nk需要通過*小二乘法擬合來分析膜厚值(d)。如果 nk 未知，則將 d 和 nk 都解析為可變參數(shù)。然而，在d為100nm以下的超薄膜的情況下，d和nk不能分離，這可能會降低精度并且無法獲得準確的d。在這種情況下，測量具有不同d的多個樣品，并且假設nk相同，進行同時分析（多點分析）。這使得可以準確地獲得nk和d。