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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
電子器件的絕緣膜、鈍化膜
詳情介紹：
概述
AD-230LP 是一種ALD（原子層沉積）設(shè)備，可控制原子級(jí)薄膜厚度。 有機(jī)金屬原料和氧化劑交替供應(yīng)到反應(yīng)室，僅通過表面反應(yīng)形成。 該裝置具有負(fù)載鎖定室，不會(huì)向大氣開放反應(yīng)室，因此可實(shí)現(xiàn)出色的可重復(fù)性沉積。
特點(diǎn)
- 原子可以更均勻地控制層。
- 可對(duì)高縱橫比結(jié)構(gòu)進(jìn)行正式成膜。
- 出色的平面內(nèi)均勻性和可重復(fù)性，可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的工藝。
- 獨(dú)特的反應(yīng)室結(jié)構(gòu)優(yōu)化了原料的氣體管路和氣流，從而抑制了顆粒。
- 電容耦合等離子體 （CCP） 方法*大限度地減少了反應(yīng)室體積，縮短了氣體凈化時(shí)間，并加快了一個(gè)循環(huán)。
應(yīng)用示例
- 氮化膜（AlN、SiN）成膜、氧化膜（AlOx、SiO2）的低溫成膜
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電子器件柵極絕緣膜
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半導(dǎo)體、有機(jī)EL等鈍化膜
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半導(dǎo)體激光器反射面
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向MEMS等三維結(jié)構(gòu)成膜
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石墨烯的沉積
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碳納米管保護(hù)膜粉末涂層
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